CoorsTek

家

+ 1 303 271 7100

联系

沉积

金属与介电薄膜沉积陶瓷组件

为半导体沉积板加热器。

半导体沉积处理

半导体沉积过程结合使用挥发性前体气体,等离子体,高温高质量薄膜层到晶圆上。沉积室和晶片处理工具需要耐用陶瓷组件站起来这些具有挑战性的环境。

CoorsTek提供定制设计OEM组件:

  • 化学汽相淀积(CVD)
  • 物理气相沉积(PVD)
  • 儿童早期开发电化学镀层/电化学沉积(ECP)
  • 原子层沉积(ALD)

沉积室组件

无处不在的工艺设备暴露在严酷的沉积条件或接触晶片需要惰性,持久的工程陶瓷的性质。

  • 室盖子(圆顶)
  • 室的衬垫
  • 沉积环
  • 气体分布板(莲蓬头)
  • 基座加热器
  • 电镀绝缘体
  • 真空过滤器

推荐材料沉积室组件

CoorsTek用途广泛的半导体陶瓷级组合包括:

氧化铝衬。

室穹顶和衬垫

室穹顶(有时称为盖子)用于创建一个干净,惰性,沉积室和保护环境。化学反应室存款薄层金属,内部介质,或半导体材料到晶圆上。

室盖子和衬垫期间暴露于等离子体沉积或腐蚀的过程,需要结合等离子耐久性高、纯度和绝缘强度。高纯铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)经常被用来满足这些设备的挑战。

氧化铝沉积环。

沉积环

环覆盖晶片边缘和周长,保护关键室组件和延长其使用寿命。因为它们直接暴露在沉积过程中,强烈的等离子体耐用性和高纯度对最终的晶片产量至关重要。

为半导体沉积板加热器。

加热板

加热器沉积设备需求统一整个晶片温度分布,以及高纯度和等离子体阻力。CoorsTek加热器设计特定的OEM要求到300 mm晶圆直径。氮化铝(AlN)是常用的在这些加热器基于其独特的高导热性和强烈的电阻。

镀铝绝缘子。

电镀绝缘体

镀陶瓷绝缘体用于电化学镀层(ECP)和电化学沉积(ECD)的过程,提供强大的电气性能和耐化学性。

群真空过滤器。

真空过滤器

真空过滤器是柔光镜用于沉积和其他真空过程,使快速、清洁真空室的通风:

  • 减少粒子小蝰蛇在晶片更高的收益率
  • 室通风速度更高的吞吐量

使用多孔氧化铝(Al CoorsTek真空过滤器2O3)和多孔碳化硅(SiC)陶瓷专门为各种类型和大小的真空室工程:

  • 管式(负载制动、传输和处理室)
  • 磁盘类型(用于狭小空间室)
  • 石英类型(热处理和LPCVD室)

Baidu
map